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EOフォトダイオード・レシーバーモジュール NIR 3mm

Photodiode Receiver Module

Photodiode Receiver Module

商品コード #57-782
¥94,250
数量 1
¥94,250
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補足: 本製品をご使用になる際は、別売りのアクセサリー製品が必要になります | 確認する
タイプ:
InGaAs
要求電源:
±9 V DC to ±15 V DC
スペクトル感度 (nm):
800 - 1700
アクティブエリア直径 (mm):
3.0
高ゲイン時のピーク感度 (V/W):
0.9 x 108
低ゲイン時のピーク感度 (V/W):
0.9 x 107
高ゲイン時の電圧ノイズ (V/Hz1/2):
5.5 x 10-6
低ゲイン時の電圧ノイズ (V/Hz1/2):
5.5 x 10-7

環境規制対応状況

RoHS 2011/65:

製品群全体の紹介

  • フォトダイオード (光検出器)とプリアンプで構成
  • 光電流に正比例した電圧を出力
  • UV、VIS、及びNIR感度タイプを用意
  • ノイズの少ないTEクーラーモデルもラインナップ
  • モジュール先端部にはCマウントの雄ねじ加工

 一つのコンパクトなパッケージ内に光検出器と二重ゲインプリアンプ回路を収めたフォトダイオード・レシーバーモジュールは、光電変換系の装置への実装を簡略化します。上述の両者の個々の設定を最適化することにより、小型で使い勝手の良いパッケージ寸法を損なうことなく、相互間で生じる電磁干渉の量を最小限に抑えます。内蔵のプリアンプ回路により、DAQシステムオシロスコープを用いた光電圧信号の集録や読み出しを可能にします (なおこれらの機器に接続するためのBNCケーブルは、商品には含まれておりません。別にお求めください (下記掲載))。分光解析やカメラ用トリガー入力用途、またあらゆる研究・実験的用途から産業用のOEM実装用途に至るまで幅広く利用できます。使用しているフォトダイオードのタイプは、UV用とVIS用がシリコン、NIRとEX-NIR用がInGaAsです。更に赤外感度のものは、PbSかPbSeをセンサーに用いたタイプも選べます。なおPbSやPbSeセンサーを駆動する際は、赤外線の変調信号が必要になります (変調周波数条件は、下記バンド幅を参照ください)。どのセンサータイプも、S/Nと温度安定性を改善するTEクーラー (ペルチェ素子)を搭載したタイプ (TEクーラーモデル)が選べます。使用設定温度は、TEクーラーを搭載しない標準 (STD)モデルが22℃、対するTEクーラーモデルが-30℃。用途に応じて、ローとハイの2段階ゲイン設定が行えます (下記表に記載の“ピーク感度”や“ノイズ”、及び”バンド幅”は、各ゲイン設定時の各々の値です)。専用のパワーサプライ (別売り; 下記掲載)と接続するためのDB-9ケーブル付属。

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