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ナノパターンスタンプ 139nmP, 50nmD 12.5 x 12.5

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仕様

概要

モデルナンバー:
1304117
タイプ:
Nanopatterned Silicon Stamp

物理的および機械的特性

周期 (nm):
139 ±6.95
格子深さ (nm):
50 ±7.5
ライン幅 (nm):
70 ±7
寸法 (mm):
12.50 x 12.50
有効径 CA (mm):
11.50 x 11.50
構造:
RIE Grating
全長 (mm):
12.50
全厚 (mm):
0.68 ±0.05
全幅 (mm):
12.50

光学的特性

コーティング:
Uncoated
基板: Many glass manufacturers offer the same material characteristics under different trade names. Learn More
Single Crystal Silicon
表面品質 (キズ-ブツ):
60-40 (within CA)

法規制対応状況

適合証明書:

商品詳細

  • ナノスケールテクスチャーの溝付き面
  • 溝の周期と深さ別にラインナップ
  • ナノフォトニクス研究用途に最適

Coherent® LightSmyth™ ナノパターン シリコンスタンプは、単結晶シリコン基板上のパターン化されたナノスケールテクスチャーで構成されます。反応性イオンエッチングにより、従来型のグレーティングに似た、台形の断面形状をもつ線形溝が基板面内にエッチングされています。エッチングプロセスによって溝の周期と深さを変えられ、格子の様なより複雑なパターンを作ることができます。Coherent® LightSmyth™ ナノパターン シリコンスタンプは、オプティクスやフォトニクス、生物学、化学、ナノインプリント、マイクロ流体工学の分野におけるナノフォトニクス研究アプリケーションに最適です。

補足: II-VI社は現在Coherent社になっています。

技術情報

SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)

取扱い上の注意

これらの光学部品は、損傷を防ぎ、長期的な性能を維持するために特別な取り扱いが必要です。光学品質を保つためには、適切な取り扱い、クリーニング、および保管が重要です。手順やベストプラクティスについては、光学部品洗浄に関する関連資料をご覧ください。ご不明な点がございましたら、メールまたはチャットで技術サポートまでお問い合わせください。

特注

エドモンド・オプティクスでは、お客様の特定のアプリケーション要件に合わせたオプティクスおよびイメージング部品の包括的な特注品製造サービスをご提供しています。試作段階でも量産準備中でも、お客様のニーズに応じた柔軟なソリューションをご用意しております。経験豊富なエンジニアが、構想から完成までサポートいたします。

当社の対応範囲には以下が含まれます:

  • 特注寸法、材料、コーティングなど
  • 高精度な表面品質と平面度
  • 厳密な公差と複雑な形状
  • 試作から量産まで対応可能な生産スケーラビリティ

詳細は特注品の製造能力をご覧いただくか、こちらからお問い合わせください。

 
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