InGaAs Variable Gain Photoreceiver, 800-1700nm

Name: InGaAs Variable Gain Photoreceiver, 800-1700nm
SKU: 90-629
Price: ¥616,000 JPY

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仕様
商品詳細
技術情報
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参考資料

仕様

概要

リモートコントロール:

Yes

補足:

Includes:
LEMO® 3-pin connector
Datasheet

物理的および機械的特性

自重 (g):

320

寸法 (mm):

Case Size: 170 x 60 x 45

光学的特性

スペクトルレンジ:

800 - 1700 nm

センサー

Detector Type:

InGaAs PIN

電気的特性

トランスインピーダンスゲイン (Ω):

Low Noise: 1 x 10³ - 1 x 10⁸(adjustable in decade steps)
High Speed: 1 x 10⁴ - 1 x 10⁹(adjustable in decade steps)

雑音等価パワー NEP (W/ Hz^1/2):

5.2 x 10^-14- 1.92 x 10^-10

パスバンド幅 (-3 dB):

200 MHz max

ハードウェア＆インターフェース接続

要求電源:

±15 V, +150 mA/−100 mA, ±200 mA

パワーサプライ:

Power Supply Required and Sold Separately:
USA: #59-180
Europe: #59-180
Japan: Not Available
Korea: Not Available
China: #59-180

環境および耐久性的要素

動作温度 (°C):

0 to +60

法規制対応状況

RoHS 2015/863:

適合

適合証明書:

内容を見る

商品詳細

10²~10¹¹V/Wまでの調節可能な超広帯域トランスインピーダンスゲイン
卓越した低ノイズ & 高感度シングルビーム検出
光パワーの絶対測定用に最適化
アライメント不要のダイレクト統合用にデザイン

ゲイン可変フォトレシーバーは、調節可能な10²~10¹¹V/Wまでの超広帯域トランスインピーダンスゲインの装備により、広いパワーレンジにわたって光信号の正確な測定を可能にします。超低ノイズ性能用にデザインされたこのフォトレシーバーは、最小6fW/√Hzの等価雑音パワー (NEP) を実現し、極めて微弱な光信号の正確な検出を確実に行います。シングルビーム検出用にデザインされ、最大の感度とダイナミックレンジを提供し、光学システム内へのアライメント不要のシンプルな統合を可能にします。ゲイン可変フォトレシーバーは、フォトニクス研究、光通信テスト、および精密な微弱光測定といったアプリケーションに最適です。

補足：電源は別売りです。詳細は仕様をご確認ください。