直径 (mm):

25.40 ±0.25

平面度 (P-V):

λ/10 @ 632.8nm

Single Crystal Silicon

基板裏面側:

Commercial Polish

表面品質 (キズ-ブツ):

10 - 5

コーティングスペック:

R_abs >65% @ 13.5nm, 45° (s-pol)

コーティング:

Mo/Si Multilayer
Top Layer: Silicon

コーティングタイプ:

Metal/Semiconductor

入射角 (°):

45

有効径 (%):

90

設計波長 DWL (nm):

13.5

端面:

Fine Ground

平行度 (分):

3

基板面粗さ (Å):

<5 RMS

全厚 (mm):

6.35 ±0.508

全厚公差 (mm):

0.508

タイプ:

Flat Mirror

波長域 (nm):

12.92 - 13.90

半値全幅 FWHM (nm):

0.98

中心エネルギー (eV):

92

法規制対応状況

RoHS 2011/65:

適合

適合証明書:

内容を見る

製品群全体の紹介

13.5nmで最大の反射率を実現
EUVビームステアリングや高調波分離用にデザイン
5°と45°の入射角バージョンをラインナップ

極端紫外 (EUV) 用平面ミラーは、設計波長や設計入射角で最大限の反射率が達成できるようにデザインされた多層膜ミラーです。このミラーは、3Å RMS未満の面粗さを持つスーパーポリッシュした単結晶シリコン基板にコーティング蒸着を施しています。入射角45°のミラーは、s偏光のビームステアリング用に、対する入射角5°のミラーは、非偏光との使用に有益です。EUVミラーのアプリケーションに、コヒーレント回折イメージング (CDI) や材料科学があります。極端紫外 (EUV) 用平面ミラーは、高調波発生 (HHG) ビームの高調波セレクターとしても機能することができます。

補足： ミラーの各製造ロットのサンプルテストデータ付きです。

極端紫外 (EUV) 用平面ミラー 25.4mm 45° AOI

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