極端紫外 (EUV) 用平面ミラー 25.4mm 5° AOI

Extreme Ultraviolet (EUV) Flat Mirrors

Extreme Ultraviolet (EUV) Flat Mirrors

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商品コード #38-759 5-7営業日
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直径 (mm):
25.40 ±0.25
平面度 (P-V):
λ/10 @ 632.8nm
基板: Many glass manufacturers offer the same material characteristics under different trade names. Learn More
Single Crystal Silicon
基板裏面側:
Commercial Polish
表面品質 (キズ-ブツ):
10 - 5
コーティングスペック:
Rabs >60% @ 13.5nm, 5° (s-pol)
コーティング:
Mo/Si Multilayer
Top Layer: Silicon
コーティングタイプ:
Metal/Semiconductor
入射角 (°):
5
有効径 (%):
90
設計波長 DWL (nm):
13.5
端面:
Fine Ground
平行度 (分):
3
基板面粗さ (Å):
<5 RMS
全厚 (mm):
6.35 ±0.508
全厚公差 (mm):
0.508
タイプ:
Flat Mirror
波長域 (nm):
13.18 - 13.68
半値全幅 FWHM (nm):
0.50
Center Energy (eV):
92

環境規制対応状況

RoHS 2011/65:
適合証明書:

製品群全体の紹介

  • 13.5nmで最大の反射率を達成
  • 極端紫外のビームステアリングや高調波分離用にデザイン
  • 入射角5°と45°をラインナップ

極端紫外 (EUV) 用平面ミラーは、設計波長や設計入射角で最大限の反射率が達成できるようにデザインされた多層膜ミラーです。このミラーは、3Å RMS未満の面粗さを持つスーパーポリッシュした単結晶シリコン基板にコーティング蒸着を施しています。入射角45°のミラーは、s偏光のビームステアリング用に、対する入射角5°のミラーは、非偏光との使用に有益です。EUVミラーのアプリケーションに、コヒーレント回折イメージング (CDI) や材料科学があります。極端紫外 (EUV) 用平面ミラーは、高調波発生 (HHG) ビームの高調波セレクターとしても機能することができます。

補足: ミラーの各製造ロットのサンプルテストデータ付きです。

 
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