Coherent® LightSmyth™ 855nm, 200nm Groove Depth, 12.5mm Sq. Linear Silicon Nanostamp

Name: Coherent® LightSmyth™ 855nm, 200nm Groove Depth, 12.5mm Sq. Linear Silicon Nanostamp
Brand: Coherent®
SKU: 16-855
Price: ¥83,250

Coherent® の更なる情報へ

商品コード #16-855 5-7営業日

- +

¥83,250

数量 1+
¥83,250

大口価格
見積依頼する

+ お気に入りリストに加える
Create an account or log in to access saved list

比較する

製品情報ダウンロード

Period (nm):

855 ±42.75

Groove Depth (nm):

200 ±30

Line Width (nm):

425

寸法 (mm):

12.50 x 12.50

有効径 CA (mm):

11.50 x 11.50

コーティング:

Uncoated

構造:

RIE Grating

全長 (mm):

12.50

モデルナンバー:

1304075

Single Crystal Silicon

表面品質 (キズ-ブツ):

60-40 (within CA)

全厚 (mm):

0.68 ±0.05

タイプ:

Nanopatterned Silicon Stamp

全幅 (mm):

12.50

環境規制対応状況

RoHS 2011/65:

適合

適合証明書:

内容を見る

製品群全体の紹介

ナノスケールテクスチャーの溝付き面
溝の周期と深さ別にラインナップ
ナノフォトニクス研究用途に最適

Coherent® LightSmyth™ ナノパターンシリコンスタンプは、単結晶シリコン基板上のパターン化されたナノスケールテクスチャーで構成されます。反応性イオンエッチングにより、従来型のグレーティングに似た、台形の断面形状をもつ線形溝が基板面内にエッチングされています。エッチングプロセスによって溝の周期と深さを変えられ、格子の様なより複雑なパターンを作ることができます。Coherent® LightSmyth™ ナノパターンシリコンスタンプは、オプティクスやフォトニクス、生物学、化学、ナノインプリント、マイクロ流体工学の分野におけるナノフォトニクス研究アプリケーションに最適です。

補足： II-VI社は現在Coherent社になっています。

Coherent® LightSmyth™ 855nm, 200nm Groove Depth, 12.5mm Sq. Linear Silicon Nanostamp

環境規制対応状況

製品群全体の紹介

SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)

SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)

Coherent® LightSmyth™ 855nm, 200nm Groove Depth, 12.5mm Sq. Linear Silicon Nanostamp

Protect your investment.

環境規制対応状況

製品群全体の紹介

SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)

SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)